Numer produktu producenta:
TSM160N10LCR RLG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM160N10LCR RLG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Magazyn:
10887 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12897845
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM160N10LCR RLG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
46A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4431 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
TSM160
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM160N10LCR RLGTR
TSM160N10LCR RLGDKR
TSM160N10LCRRLGDKR
TSM160N10LCR RLGTR-DG
TSM160N10LCR RLGDKR-DG
TSM160N10LCR RLGCT-DG
TSM160N10LCRRLGCT
TSM160N10LCRRLGTR
TSM160N10LCR RLGCT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
TSM3N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
